Feltétel | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Eredet | Contact us |
Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 50V |
Vce telítettség (Max) Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
Tranzisztor típusú: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Szállító eszközcsomag: | EMT6 |
Sorozat: | - |
Ellenállás - emitteralap (R2): | 22 kOhms |
Ellenállás - alap (R1): | 22 kOhms |
Teljesítmény - Max: | 150mW |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | SOT-563, SOT-666 |
Más nevek: | EMH10T2R-ND EMH10T2RTR |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
A gyártó szabványos leadási ideje: | 10 Weeks |
Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
Frekvencia - Átmenet: | 250MHz |
Részletes leírás: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
DC áramerősség (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 56 @ 5mA, 5V |
Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Áram - kollektor (Ic) (Max): | 100mA |
Alap rész száma: | *MH10 |
Email: | [email protected] |