État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 200µA |
Vgs (Max): | ±8V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | VS-8 (2.9x1.5) |
Séries: | U-MOSIII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max): | 330mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 8-SMD, Flat Lead |
Autres noms: | TPCF8B01(TE85L,F) TPCF8B01(TE85L,F)-ND TPCF8B01(TE85L,F,M-ND TPCF8B01(TE85LFMTR TPCF8B01FTR TPCF8B01FTR-ND |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 470pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 5V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | Schottky Diode (Isolated) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.8V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss): | 20V |
Description détaillée: | P-Channel 20V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 2.7A (Ta) |
Email: | [email protected] |