TK17A80W,S4X
- Modèle de produit:
- TK17A80W,S4X
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 11447 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- TK17A80W,S4X.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Test: | 2050pF @ 300V |
| Tension - Ventilation: | TO-220SIS |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 290 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | DTMOSIV |
| État RoHS: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 17A (Ta) |
| Polarisation: | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms: | TK17A80W,S4X(S TK17A80WS4X |
| Température de fonctionnement: | 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | TK17A80W,S4X |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 32nC @ 10V |
| type de IGBT: | ±20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 850µA |
| Fonction FET: | N-Channel |
| Description élargie: | N-Channel 800V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 800V |
| Ratio de capacité: | 45W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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