SIHS90N65E-E3
SIHS90N65E-E3
Modèle de produit:
SIHS90N65E-E3
Fabricant:
Vishay / Siliconix
La description:
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
63758 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
SIHS90N65E-E3.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Test:11826pF @ 100V
Tension - Ventilation:SUPER-247 (TO-274AA)
Vgs (th) (Max) @ Id:29 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (Max):10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:-
État RoHS:Digi-Reel®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:87A (Tc)
Polarisation:TO-247-3
Autres noms:SIHS90N65E-E3DKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:14 Weeks
Référence fabricant:SIHS90N65E-E3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:591nC @ 10V
type de IGBT:±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 250µA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 650V 87A (Tc) 625W (Tc) Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:650V
Ratio de capacité:625W (Tc)
Email:[email protected]

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