État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±30V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-247AC |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 16.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 313W (Tc) |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | TO-247-3 |
Autres noms: | SIHG33N65E-GE3CT |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4040pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 173nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 650V |
Description détaillée: | N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 32.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |