SI3900DV-T1-E3
- Modèle de produit:
- SI3900DV-T1-E3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 70667 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SI3900DV-T1-E3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Test: | - |
| Tension - Ventilation: | 6-TSOP |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Séries: | TrenchFET® |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2A |
| Puissance - Max: | 830mW |
| Polarisation: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Autres noms: | SI3900DV-T1-E3TR SI3900DVT1E3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 15 Weeks |
| Référence fabricant: | SI3900DV-T1-E3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4nC @ 4.5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
| Fonction FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
| Tension drain-source (Vdss): | Logic Level Gate |
| La description: | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
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