JAN1N6623
Modèle de produit:
JAN1N6623
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
45118 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
JAN1N6623.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Inverse de crête (max):Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1A
Tension - Ventilation:A-PAK
Séries:Military, MIL-PRF-19500/585
État RoHS:Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F:-
Polarisation:A, Axial
Autres noms:1086-19964
1086-19964-MIL
Température d'utilisation - Jonction:30ns
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:JAN1N6623
Description élargie:Diode Standard 800V 1A Through Hole A-PAK
Configuration diode:500nA @ 800V
La description:DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr:1.55V @ 1A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode):800V
Capacité à Vr, F:-65°C ~ 150°C
Email:[email protected]

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