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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFN200N10P
IXFN200N10P
IXFN200N10P
Modèle de produit:
IXFN200N10P
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
6320 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXFN200N10P.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Test:7600pF @ 25V
Tension - Ventilation:SOT-227B
Vgs (th) (Max) @ Id:7.5 mOhm @ 500mA, 10V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Séries:Polar™
État RoHS:Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs:200A
Polarisation:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:8 Weeks
Référence fabricant:IXFN200N10P
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:235nC @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 8mA
Fonction FET:N-Channel
Description élargie:N-Channel 100V 200A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Tension drain-source (Vdss):-
La description:MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100V
Ratio de capacité:680W (Tc)
Email:[email protected]

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