IRF6646TR1
- Modèle de produit:
- IRF6646TR1
- La description:
- MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 47687 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- IRF6646TR1.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.9V @ 150µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | DIRECTFET™ MN |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | DirectFET™ Isometric MN |
| Autres noms: | IRF6646TR1CT |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 2 (1 Year) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2060pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 80V |
| Description détaillée: | N-Channel 80V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 12A (Ta), 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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