État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tension - Inverse de crête (max): | Silicon Carbide Schottky |
Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 8A |
Tension - Ventilation: | TO-220-2 |
Séries: | Amp+™ |
État RoHS: | Tube |
Temps de recouvrement inverse (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Résistance @ Si, F: | 477pF @ 1V, 1MHz |
Polarisation: | TO-220-2 |
Autres noms: | 1560-1016-5 |
Température d'utilisation - Jonction: | 0ns |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | GDP08S120A |
Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 8A Through Hole TO-220-2 |
Configuration diode: | 100µA @ 1200V |
La description: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO220-2 |
Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.7V @ 8A |
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 1200V (1.2kV) |
Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 135°C |
Email: | [email protected] |