DLA11C-TR-E
- Modèle de produit:
- DLA11C-TR-E
- Fabricant:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- La description:
- DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 66943 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- DLA11C-TR-E.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.1A |
| Tension - Ventilation: | - |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | - |
| Polarisation: | 2-SMD |
| Température d'utilisation - Jonction: | 50ns |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | DLA11C-TR-E |
| Description élargie: | Diode Standard 200V 1.1A Surface Mount |
| Configuration diode: | 10µA @ 200V |
| La description: | DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 980mV @ 1.1A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 200V |
| Capacité à Vr, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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