CSD19532KTT
- Modèle de produit:
- CSD19532KTT
- Fabricant:
- TI
- La description:
- MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 44895 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- CSD19532KTT.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Test: | 5060pF @ 50V |
| Tension - Ventilation: | DDPAK/TO-263-3 |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (Max): | 6V, 10V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | NexFET™ |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 200A (Ta) |
| Polarisation: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | 296-44970-2 CSD19532KTT-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 2 (1 Year) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 13 Weeks |
| Référence fabricant: | CSD19532KTT |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 57nC @ 10V |
| type de IGBT: | ±20V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.2V @ 250µA |
| Fonction FET: | N-Channel |
| Description élargie: | N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100V |
| Ratio de capacité: | 250W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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