C2D05120E-TR
- Modèle de produit:
- C2D05120E-TR
- Fabricant:
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 35555 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- C2D05120E-TR.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 5A (DC) |
| Tension - Ventilation: | TO-252-2 |
| Séries: | Zero Recovery™ |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | 455pF @ 0V, 1MHz |
| Polarisation: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 0ns |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 5 Weeks |
| Référence fabricant: | C2D05120E-TR |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A (DC) Surface Mount TO-252-2 |
| Configuration diode: | 200µA @ 1200V |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.8V @ 5A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacité à Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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