État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Tension - Test: | 4100pF @ 10V |
Tension - Ventilation: | PG-TDSON-8 |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.6 mOhm @ 50A, 4.5V |
Vgs (Max): | 2.5V, 4.5V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Séries: | OptiMOS™ |
État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 19A (Ta), 80A (Tc) |
Polarisation: | 8-PowerTDFN |
Autres noms: | BSC046N02KS G-ND BSC046N02KS GTR BSC046N02KSG BSC046N02KSGAUMA1 SP000379666 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
Référence fabricant: | BSC046N02KS G |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 27.6nC @ 4.5V |
type de IGBT: | ±12V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.2V @ 110µA |
Fonction FET: | N-Channel |
Description élargie: | N-Channel 20V 19A (Ta), 80A (Tc) 2.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
Tension drain-source (Vdss): | - |
La description: | MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 20V |
Ratio de capacité: | 2.8W (Ta), 48W (Tc) |
Email: | [email protected] |