BAS16WE6327HTSA1
- Modèle de produit:
- BAS16WE6327HTSA1
- La description:
- DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 45444 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- BAS16WE6327HTSA1.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Standard |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 250mA (DC) |
| Tension - Ventilation: | PG-SOT323-3 |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Polarisation: | SC-70, SOT-323 |
| Autres noms: | BAS 16W E6327 BAS 16W E6327-ND BAS16WE6327 BAS16WE6327INTR BAS16WE6327INTR-ND SP000010214 |
| Température d'utilisation - Jonction: | 4ns |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | BAS16WE6327HTSA1 |
| Description élargie: | Diode Standard 80V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOT323-3 |
| Configuration diode: | 1µA @ 75V |
| La description: | DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.25V @ 150mA |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 80V |
| Capacité à Vr, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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