TK17A80W,S4X
- Número de pieza:
- TK17A80W,S4X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 11447 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- TK17A80W,S4X.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Voltaje - Prueba: | 2050pF @ 300V |
| Tensión - Desglose: | TO-220SIS |
| VGS (th) (Max) @Id: | 290 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | DTMOSIV |
| Estado RoHS: | Tube |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 17A (Ta) |
| Polarización: | TO-220-3 Full Pack |
| Otros nombres: | TK17A80W,S4X(S TK17A80WS4X |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | TK17A80W,S4X |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 32nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4V @ 850µA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 800V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 800V |
| relación de capacidades: | 45W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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