SIHB22N65E-GE3
- Número de pieza:
- SIHB22N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 47926 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- SIHB22N65E-GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Voltaje - Prueba: | 2415pF @ 100V |
| Tensión - Desglose: | D2PAK |
| VGS (th) (Max) @Id: | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 22A (Tc) |
| Polarización: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | SIHB22N65E-GE3TR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 19 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | SIHB22N65E-GE3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 110nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 650V 22A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 650V |
| relación de capacidades: | 227W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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