MBRM110LT3G
- Número de pieza:
- MBRM110LT3G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13247 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- MBRM110LT3G.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Schottky |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1A |
| Tensión - Desglose: | Powermite |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | DO-216AA |
| Otros nombres: | MBRM110LT3G-ND MBRM110LT3GOSTR |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | MBRM110LT3G |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 10V 1A Surface Mount Powermite |
| configuración de diodo: | 500µA @ 10V |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 365mV @ 1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 10V |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 125°C |
| Email: | [email protected] |
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