ISL9R8120S3ST
- Número de pieza:
- ISL9R8120S3ST
- Fabricante:
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 70785 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- ISL9R8120S3ST.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 8A |
| Tensión - Desglose: | TO-263AB |
| Serie: | Stealth™ |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | 30pF @ 10V, 1MHz |
| Polarización: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | ISL9R8120S3ST-ND ISL9R8120S3STFSTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 300ns |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | ISL9R8120S3ST |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount TO-263AB |
| configuración de diodo: | 100µA @ 1200V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 3.3V @ 8A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
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