Condición | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Origen | Contact us |
VGS (th) (Max) @Id: | 2.25V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | DIRECTFET™ MX |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 3.3 mOhm @ 24A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
embalaje: | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta: | DirectFET™ Isometric MX |
Otros nombres: | *IRF6612 IRF6612CT IRF6612CT-ND IRF6612TR1CT |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3970pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 45nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción detallada: | N-Channel 30V 24A (Ta), 136A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 24A (Ta), 136A (Tc) |
Email: | [email protected] |