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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > EPC2040ENGR
EPC2040ENGR
EPC2040ENGR
Número de pieza:
EPC2040ENGR
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 25V BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
11536 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
EPC2040ENGR.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
Voltaje - Prueba:100pF @ 6V
Tensión - Desglose:Die
VGS (th) (Max) @Id:28 mOhm @ 1.5A, 5V
Tecnología:GaNFET (Gallium Nitride)
Serie:eGaN®
Estado RoHS:Tray
RDS (Max) @Id, Vgs:3.4A (Ta)
Polarización:Die
Otros nombres:917-EPC2040ENGR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:EPC2040ENGR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:0.93nC @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.5V @ 1mA
Característica de FET:N-Channel
Descripción ampliada:N-Channel 15V 3.4A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:-
Descripción:TRANS GAN 25V BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15V
relación de capacidades:-
Email:[email protected]

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