Condición | New & Unused, Original Packing |
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Origen | Contact us |
Voltaje - Prueba: | 1400pF @ 50V |
Tensión - Desglose: | Die |
VGS (th) (Max) @Id: | 3.2 mOhm @ 25A, 5V |
Tecnología: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Serie: | eGaN® |
Estado RoHS: | Cut Tape (CT) |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 90A (Ta) |
Polarización: | Die |
Otros nombres: | 917-1140-1 917-1140-1-ND 917-EPC2022ENGRCT\ |
Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | EPC2022ENGRT |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 13nC @ 5V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.5V @ 12mA |
Característica de FET: | N-Channel |
Descripción ampliada: | N-Channel 100V 90A (Ta) Surface Mount Die |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
Descripción: | TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100V |
relación de capacidades: | - |
Email: | [email protected] |