DSK10C-ET1
- Número de pieza:
- DSK10C-ET1
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 75573 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- DSK10C-ET1.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1A |
| Tensión - Desglose: | - |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | R-1 (Axial) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | DSK10C-ET1 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 200V 1A Through Hole |
| configuración de diodo: | 10µA @ 200V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.1V @ 1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 200V |
| Capacitancia Vr, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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