DMN2013UFX-7
- Número de pieza:
- DMN2013UFX-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 64061 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- DMN2013UFX-7.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Voltaje - Prueba: | 2607pF @ 10V |
| Tensión - Desglose: | W-DFN5020-6 |
| VGS (th) (Max) @Id: | 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10A |
| Potencia - Max: | 780mW |
| Polarización: | 6-VFDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | DMN2013UFX-7DITR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMN2013UFX-7 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 57.4nC @ 8V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.1V @ 250µA |
| Característica de FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A 780mW Surface Mount W-DFN5020-6 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | Logic Level Gate |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
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