DLA11C-TR-E
- Número de pieza:
- DLA11C-TR-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 66943 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- DLA11C-TR-E.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1A |
| Tensión - Desglose: | - |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | 2-SMD |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 50ns |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | DLA11C-TR-E |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 200V 1.1A Surface Mount |
| configuración de diodo: | 10µA @ 200V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 980mV @ 1.1A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 200V |
| Capacitancia Vr, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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