CSD19532KTT
- Número de pieza:
- CSD19532KTT
- Fabricante:
- TI
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 44895 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- CSD19532KTT.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Voltaje - Prueba: | 5060pF @ 50V |
| Tensión - Desglose: | DDPAK/TO-263-3 |
| VGS (th) (Max) @Id: | 5.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (Max): | 6V, 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | NexFET™ |
| Estado RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 200A (Ta) |
| Polarización: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | 296-44970-2 CSD19532KTT-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 2 (1 Year) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CSD19532KTT |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 57nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±20V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 3.2V @ 250µA |
| Característica de FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| relación de capacidades: | 250W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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