1N5406
- Número de pieza:
- 1N5406
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 26141 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 1N5406.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Standard |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 3A |
| Tensión - Desglose: | DO-201AD |
| Serie: | - |
| Estado RoHS: | Bulk |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| Polarización: | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Otros nombres: | 1N5406OS |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 1N5406 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD |
| configuración de diodo: | 10µA @ 600V |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1V @ 3A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 600V |
| Capacitancia Vr, F: | -65°C ~ 170°C |
| Email: | [email protected] |
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