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Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.
Image Artikelnummer Beschreibung Aussicht
FR6A05 DIODE GEN PURP 50V 16A DO4 Anfrage
GP1M008A080H Image GP1M008A080H MOSFET N-CH 800V 8A TO220 Anfrage
GHXS010A060S-D4 Image GHXS010A060S-D4 DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227 Anfrage
FR12J02 DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 Anfrage
GPA030A135MN-FDR Image GPA030A135MN-FDR IGBT 1350V 60A 329W TO3PN Anfrage
GP2M008A060CG Image GP2M008A060CG MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK Anfrage
GHXS045A120S-D1E Image GHXS045A120S-D1E MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227 Anfrage
GSXD160A020S1-D3 Image GSXD160A020S1-D3 DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227 Anfrage
GP2M002A060PG Image GP2M002A060PG MOSFET N-CH 600V 2A Anfrage
GP3D050A060B DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2 Anfrage
1N1199AR Image 1N1199AR DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4 Anfrage
S12K DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 Anfrage
GP2M004A065FG Image GP2M004A065FG MOSFET N-CH 650V 4A TO220F Anfrage
1N1186R Image 1N1186R DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5 Anfrage
GP2M020A050F Image GP2M020A050F MOSFET N-CH 500V 18A TO220F Anfrage
1N3213R DIODE GEN PURP REV 500V 15A DO5 Anfrage
S40J DIODE GEN PURP 600V 40A DO5 Anfrage
FST16020 Image FST16020 DIODE MODULE 20V 160A TO249AB Anfrage
GSXD100A020S1-D3 Image GSXD100A020S1-D3 DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227 Anfrage
GP3D050A120B DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2 Anfrage
FR12JR02 Image FR12JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 Anfrage
GP2M023A050N Image GP2M023A050N MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN Anfrage
GSID150A120S3B1 SILICON IGBT MODULES Anfrage
S12J DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 Anfrage
1N1183 DIODE GEN PURP 50V 35A DO203AB Anfrage
FR6G05 DIODE GEN PURP 400V 16A DO4 Anfrage
GPA015A120MN-ND Image GPA015A120MN-ND IGBT 1200V 30A 212W TO3PN Anfrage
MUR2505R DIODE GEN PURP REV 50V 25A DO4 Anfrage
1N2135A DIODE GEN PURP 400V 60A DO5 Anfrage
GHIS050A120T1P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Anfrage
GDP60Y120B Image GDP60Y120B DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3 Anfrage
GSXF120A100S1-D3 Image GSXF120A100S1-D3 DIODE FAST REC 1000V 120A SOT227 Anfrage
GHXS030A060S-D3 Image GHXS030A060S-D3 DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227 Anfrage
FR12GR05 DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 Anfrage
GP1M011A050FH Image GP1M011A050FH MOSFET N-CH 500V 11A TO220F Anfrage
GP2M002A065CG Image GP2M002A065CG MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK Anfrage
GHIS080A060S-A1 Image GHIS080A060S-A1 IGBT BOOST CHOP 600V 160A SOT227 Anfrage
1N8031-GA Image 1N8031-GA DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 Anfrage
GSXD050A020S1-D3 Image GSXD050A020S1-D3 DIODE SCHOTTKY 200V 50A SOT227 Anfrage
GP1M005A050FSH Image GP1M005A050FSH MOSFET N-CH 500V 4A TO220F Anfrage
GP3D060A120B DIODE SCHOTTKY 1200V 60A TO247 Anfrage
GHIS020A060B1P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES Anfrage
GP1M003A080PH Image GP1M003A080PH MOSFET N-CH 800V 3A IPAK Anfrage
GP1M008A025HG Image GP1M008A025HG MOSFET N-CH 250V 8A TO220 Anfrage
GHIS080A060S1-E1 Image GHIS080A060S1-E1 IGBT 600V 160A SOT227 Anfrage
GP1M015A050H Image GP1M015A050H MOSFET N-CH 500V 14A TO220 Anfrage
FR12D05 DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 Anfrage
GKR26/04 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 Anfrage
GP2M005A060PGH Image GP2M005A060PGH MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK Anfrage
1N3767 DIODE GEN PURP 900V 35A DO5 Anfrage
Aufzeichnungen 639