TPCC8002-H(TE12L,Q
- Artikelnummer:
- TPCC8002-H(TE12L,Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 25666 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Prüfung: | 2500pF @ 10V |
| Spannung - Durchschlag: | 8-TSON |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 8.3 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | U-MOSV-H |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 22A (Ta) |
| Polarisation: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | TPCC8002HTE12LQ |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | TPCC8002-H(TE12L,Q |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 27nC @ 10V |
| IGBT-Typ: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5V @ 1mA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 30V |
| Kapazitätsverhältnis: | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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