TK17A80W,S4X
- Artikelnummer:
- TK17A80W,S4X
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 11447 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- TK17A80W,S4X.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Prüfung: | 2050pF @ 300V |
| Spannung - Durchschlag: | TO-220SIS |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 290 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | DTMOSIV |
| RoHS Status: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 17A (Ta) |
| Polarisation: | TO-220-3 Full Pack |
| Andere Namen: | TK17A80W,S4X(S TK17A80WS4X |
| Betriebstemperatur: | 150°C |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | TK17A80W,S4X |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 32nC @ 10V |
| IGBT-Typ: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 850µA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 800V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 800V |
| Kapazitätsverhältnis: | 45W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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