SI6423DQ-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI6423DQ-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay / Siliconix
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 52890 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SI6423DQ-T1-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Prüfung: | - |
| Spannung - Durchschlag: | 8-TSSOP |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
| Vgs (Max): | 1.8V, 4.5V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | TrenchFET® |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.2A (Ta) |
| Polarisation: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Andere Namen: | SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 15 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SI6423DQ-T1-GE3 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 110nC @ 5V |
| IGBT-Typ: | ±8V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 800mV @ 400µA |
| FET-Merkmal: | P-Channel |
| Expanded Beschreibung: | P-Channel 12V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12V |
| Kapazitätsverhältnis: | 1.05W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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