RFN10B3STL
- Artikelnummer:
- RFN10B3STL
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 74187 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- RFN10B3STL.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Spitzensperr- (max): | Standard |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 10A |
| Spannung - Durchschlag: | CPD |
| Serie: | - |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Widerstand @ If, F: | - |
| Polarisation: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | RFN10B3STLTR |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | 30ns |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | RFN10B3STL |
| Expanded Beschreibung: | Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD |
| Diodenkonfiguration: | 10µA @ 350V |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 350V 10A CPD |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 1.5V @ 10A |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode): | 350V |
| Kapazität @ Vr, F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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