Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Prüfung: | 830pF @ 10V |
Spannung - Durchschlag: | Micro3™/SOT-23 |
VGS (th) (Max) @ Id: | 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Vgs (Max): | 1.8V, 4.5V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie: | HEXFET® |
RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.3A (Ta) |
Polarisation: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen: | IRLML6401GTRPBF-ND IRLML6401GTRPBFTR SP001568584 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 13 Weeks |
Hersteller-Teilenummer: | IRLML6401GTRPBF |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 15nC @ 5V |
IGBT-Typ: | ±8V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 950mV @ 250µA |
FET-Merkmal: | P-Channel |
Expanded Beschreibung: | P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12V |
Kapazitätsverhältnis: | 1.3W (Ta) |
Email: | [email protected] |