RF4E080GNTR
RF4E080GNTR
Part Number:
RF4E080GNTR
Výrobce:
LAPIS Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
35469 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
1.RF4E080GNTR.pdf2.RF4E080GNTR.pdf

Úvod

We can supply RF4E080GNTR, use the request quote form to request RF4E080GNTR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RF4E080GNTR.The price and lead time for RF4E080GNTR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RF4E080GNTR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Stav New & Unused, Original Packing
Původ Contact us
Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:HUML2020L8
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:17.6 mOhm @ 8A, 10V
Ztráta energie (Max):2W (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:8-PowerUDFN
Ostatní jména:RF4E080GNTRTR
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:40 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:295pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:5.8nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Detailní popis:N-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře