NTHC5513T1G
NTHC5513T1G
Part Number:
NTHC5513T1G
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N/P-CH 20V 1206A
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
27045 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
NTHC5513T1G.pdf

Úvod

We can supply NTHC5513T1G, use the request quote form to request NTHC5513T1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NTHC5513T1G.The price and lead time for NTHC5513T1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NTHC5513T1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Stav New & Unused, Original Packing
Původ Contact us
Vgs (th) (max) 'Id:1.2V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package:ChipFET™
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power - Max:1.1W
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:8-SMD, Flat Lead
Ostatní jména:NTHC5513T1GOS
NTHC5513T1GOS-ND
NTHC5513T1GOSTR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:4 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:180pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
Typ FET:N and P-Channel
FET Feature:Logic Level Gate
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V
Detailní popis:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.2A 1.1W Surface Mount ChipFET™
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:2.9A, 2.2A
Číslo základní části:NTHC5513
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře