بطاقة خط

Micron Technology

Micron Technology

- تعد ميكرون واحدة من الشركات الرائدة في العالم في مجال حلول أشباه الموصلات المتقدمة. تستخدم مكونات DRAM و Flash الخاصة بـ Micron في أكثر منتجات الحوسبة والشبكات والاتصالات تقدمًا اليوم ، بما في ذلك أجهزة الكمبيوتر ومحطات العمل والخوادم والهواتف المحمولة والأجهزة اللاسلكية والكاميرات الرقمية وأنظمة الألعاب.
صورة رقم القطعة وصف رأي
M28W640HCB70N6E Image M28W640HCB70N6E IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP تحقيق
MT28EW512ABA1LPC-0SIT Image MT28EW512ABA1LPC-0SIT IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA تحقيق
M29W400DB45N6E IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP تحقيق
MT46H32M32LFCG-6 IT:A TR IC DRAM 1G PARALLEL 152VFBGA تحقيق
NP5Q064AE3ESFC0E Image NP5Q064AE3ESFC0E IC PCM 64M SPI 16SO W تحقيق
M29F200FB55N3F2 TR IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP تحقيق
MT48LC16M8A2P-6A IT:L Image MT48LC16M8A2P-6A IT:L IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP تحقيق
M29F400BT90N1 Image M29F400BT90N1 IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP تحقيق
M29F400BT90N6T TR Image M29F400BT90N6T TR IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP تحقيق
MT44K32M18RB-125E:A TR Image MT44K32M18RB-125E:A TR IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA تحقيق
MT53D1G64D8NW-062 WT:D LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP تحقيق
M29F040B90N1T TR IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP تحقيق
MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ تحقيق
MT46H64M32L2JG-6 IT:A TR IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA تحقيق
TE28F256J3D95B TR Image TE28F256J3D95B TR IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP تحقيق
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA تحقيق
MT46H16M32LFCX-6:B Image MT46H16M32LFCX-6:B IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA تحقيق
M29W128GH70ZS3E IC FLASH 128M PARALLEL 64FBGA تحقيق
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP تحقيق
MT53D384M64D4NY-046 XT:D IC DRAM 24G 2133MHZ FBGA تحقيق
MT46H256M32L4LE-48 WT:C IC DRAM 8G PARALLEL 208MHZ تحقيق
MT49H32M18BM-25:B IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA تحقيق
N25Q032A11ESE40G IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SO تحقيق
N25Q128A11EF840F TR IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN تحقيق
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA تحقيق
MT52L512M32D2PU-107 WT:B TR IC DRAM 16G 933MHZ FBGA تحقيق
MT29C1G12MAACAEAML-6 IT IC FLASH RAM 1G PARAL 153VFBGA تحقيق
JS28F640P30BF75D IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP تحقيق
JS28F640P33TF70A Image JS28F640P33TF70A IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP تحقيق
MT25QL01GBBB8ESFE01-2SIT IC FLASH 1G SPI 133MHZ 16SOP2 تحقيق
M58LR128KB70ZB5E IC FLASH 128M PARALLEL 56VFBGA تحقيق
N25Q008A11ESC40F TR IC FLASH 8M SPI 108MHZ SOIC تحقيق
EDB8164B4PR-1D-F-D IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA تحقيق
M58LT256JST8ZA6E Image M58LT256JST8ZA6E IC FLASH 256M PARALLEL 80LBGA تحقيق
MT47H32M16NF-187E:H TR IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA تحقيق
MT44K32M18RB-093E:B TR Image MT44K32M18RB-093E:B TR IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA تحقيق
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D TR IC FLASH 128G PARALLEL 167MHZ تحقيق
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA تحقيق
MT40A256M16GE-075E IT:B TR Image MT40A256M16GE-075E IT:B TR IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA تحقيق
MT28F800B3WP-9 T TR Image MT28F800B3WP-9 T TR IC FLASH 8M PARALLEL 48TSOP I تحقيق
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B IC FLASH 1.5T PARALLEL VBGA تحقيق
MT29F16G08ADACAH4:C TR IC FLASH 16G PARALLEL 63VFBGA تحقيق
MT48LC16M8A2FB-75:G TR Image MT48LC16M8A2FB-75:G TR IC DRAM 128M PARALLEL 60FBGA تحقيق
MT44K16M36RB-125:A TR Image MT44K16M36RB-125:A TR IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA تحقيق
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR IC FLASH 4G SPI 63VFBGA تحقيق
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A TR Image MT29F64G08CBAAAWP-Z:A TR IC FLASH 64G PARALLEL 48TSOP I تحقيق
EDF8164A3MD-GD-F-R TR IC DRAM 8G PARALLEL 800MHZ FBGA تحقيق
MT29F32G08CBADBWPR:D IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP تحقيق
MT40A512M8RH-075E AIT:B IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ تحقيق
MT53D768M32D4BD-053 WT:C IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA تحقيق
سجلات 8,207
سابق456789101112131415161718التالينهاية