بطاقة خط

IXYS Corporation

IXYS Corporation

- تقدم IXYS Corporation خطًا عريضًا من أشباه الموصلات عالية الطاقة ، بما في ذلك دوائر MOSFET منخفضة المقاومة للطاقة ، و IGBTs ذات التبديل السريع للغاية ، والثنائيات سريعة الاسترداد (FREDs) ، و SCR ووحدات الصمام الثنائي ، جسور المعدل ، و Power Interface ICs.
صورة رقم القطعة وصف رأي
DSAI75-12B DIODE AVALANCHE 1.2KV 110A DO203 تحقيق
MCC310-16IO1 Image MCC310-16IO1 SCR DUAL 1600V 500A Y2-DCB تحقيق
IXCY10M45 IC CURRENT REGULATOR DPAK تحقيق
VII100-06P1 MOD IGBT PHASE LEG 600V ECOPAC2 تحقيق
IXFC16N80P MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220 تحقيق
VUO52-08NO1 Image VUO52-08NO1 RECT BRIDGE 3PH 54A 800V V1-A تحقيق
IXTH150N17T Image IXTH150N17T MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 تحقيق
VUO16-08NO1 Image VUO16-08NO1 RECT BRIDGE 3PH 20A 800V V1-A تحقيق
IXTT02N450HV Image IXTT02N450HV MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268 تحقيق
IXTZ550N055T2 Image IXTZ550N055T2 MOSFET N-CH 55V 550A DE475 تحقيق
IXFH21N50Q Image IXFH21N50Q MOSFET N-CH 500V 21A TO-247 تحقيق
MCD72-08IO1B Image MCD72-08IO1B MOD THYRISTOR/DIO 800V TO-240AA تحقيق
IXTT110N10L2 Image IXTT110N10L2 MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 تحقيق
IXTH30N50 Image IXTH30N50 MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 تحقيق
VUO82-12NO7 Image VUO82-12NO7 RECT BRIDGE 3PH 88A 1200V PWS-D تحقيق
IXGH20N60BD1 Image IXGH20N60BD1 IGBT 600V 40A 150W TO247AD تحقيق
IXBOD1-20RD IC DIODE MODULE BOD 0.2A 2000V تحقيق
VHF85-14IO7 RECT BRIDGE 1PH 1400V PWS-E-1 تحقيق
GWM120-0075X1-SMD MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS تحقيق
IXYP8N90C3D1 Image IXYP8N90C3D1 IGBT 900V 20A 125W TO220 تحقيق
IXTP55N075T Image IXTP55N075T MOSFET N-CH 75V 55A TO-220 تحقيق
GMM3X60-015X2-SMD MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD تحقيق
IXGM40N60AL POWER MOSFET TO-3 تحقيق
IXTH110N10L2 Image IXTH110N10L2 MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 تحقيق
IXFX32N100P Image IXFX32N100P MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 تحقيق
IXFN40N110Q3 Image IXFN40N110Q3 MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B تحقيق
IXFT12N90Q Image IXFT12N90Q MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 تحقيق
MMIX1F44N100Q3 Image MMIX1F44N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 30A تحقيق
IXYH60N90C3 Image IXYH60N90C3 IGBT 900V 140A 750W C3 TO-247 تحقيق
IXTT96N20P Image IXTT96N20P MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 تحقيق
IXFL40N110P MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264 تحقيق
IXKN45N80C Image IXKN45N80C MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B تحقيق
IXGT24N170A Image IXGT24N170A IGBT 1700V 24A 250W TO268 تحقيق
IXGP30N60C2 Image IXGP30N60C2 IGBT 600V 70A 190W TO220 تحقيق
IXGP20N100 Image IXGP20N100 IGBT 1000V 40A 150W TO220 تحقيق
IXFA130N10T Image IXFA130N10T MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK تحقيق
IXYX40N250CHV Image IXYX40N250CHV IGBT 2.5KV 70A TO247HV تحقيق
IXFX320N17T2 Image IXFX320N17T2 MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 تحقيق
IXXX100N60B3H1 Image IXXX100N60B3H1 IGBT 600V 200A 695W TO247 تحقيق
DSEC29-06AC DIODE ARRAY 600V 15A ISOPLUS220 تحقيق
IXTH90N15T Image IXTH90N15T MOSFET N-CH 150V 90A TO247 تحقيق
MCA700-16IO1W SCR THRYRISTOR CA 1600V WC-500 تحقيق
DNA30EM2200PZ Image DNA30EM2200PZ DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263 تحقيق
CLA5E1200UC THYRISTOR PHASE 1200V TO-252 تحقيق
IXFN44N80 Image IXFN44N80 MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B تحقيق
MCC44-16IO1B Image MCC44-16IO1B MOD THYRISTOR DUAL 1600V TO240AA تحقيق
IXFT52N30Q TRL MOSFET N-CH 300V 52A TO268 تحقيق
VVZF70-08IO7 RECT BRIDGE 3PH 800V FO-T-A تحقيق
IXSH15N120BD1 Image IXSH15N120BD1 IGBT 1200V 30A 150W TO247 تحقيق
IXYT30N450HV IGBT تحقيق
سجلات 5,480
سابق123456789101112131415التالينهاية