بطاقة خط

IXYS Corporation

IXYS Corporation

- تقدم IXYS Corporation خطًا عريضًا من أشباه الموصلات عالية الطاقة ، بما في ذلك دوائر MOSFET منخفضة المقاومة للطاقة ، و IGBTs ذات التبديل السريع للغاية ، والثنائيات سريعة الاسترداد (FREDs) ، و SCR ووحدات الصمام الثنائي ، جسور المعدل ، و Power Interface ICs.
صورة رقم القطعة وصف رأي
IXFX60N55Q2 Image IXFX60N55Q2 MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247 تحقيق
IXTV36N50P MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220 تحقيق
DSSK28-0045A Image DSSK28-0045A DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB تحقيق
DSI30-12A Image DSI30-12A DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC تحقيق
IXFD26N60Q-8XQ MOSFET N-CH تحقيق
IXFH75N10 Image IXFH75N10 MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD تحقيق
IXTV30N60P Image IXTV30N60P MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220 تحقيق
DSEC16-02A Image DSEC16-02A DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB تحقيق
IXFQ22N60P3 Image IXFQ22N60P3 MOSFET N-CH 600V 22A TO3P تحقيق
IXTH130N15T Image IXTH130N15T MOSFET N-CH 150V 130A TO-247 تحقيق
IXTC200N10T Image IXTC200N10T MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 تحقيق
IXFH20N85X Image IXFH20N85X 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS تحقيق
IXGA7N60CD1 Image IXGA7N60CD1 IGBT 600V 14A 75W TO263 تحقيق
IXTH6N150 Image IXTH6N150 MOSFET N-CH 1500V 6A TO-247 تحقيق
VBO20-08NO2 DIODE BRIDGE 31A 800V STD FO-A تحقيق
IXYH8N250C IGBT 2500V 29A TO247AD تحقيق
IXFE44N50QD2 Image IXFE44N50QD2 MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B تحقيق
IXFN170N65X2 Image IXFN170N65X2 MOSFET N-CH تحقيق
MCMA50PD1200TB MOD THYRISTOR DUAL 16KV TO-240 تحقيق
IXTA12N65X2 Image IXTA12N65X2 MOSFET N-CH 650V 12A TO-263 تحقيق
IXFR26N60Q Image IXFR26N60Q MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 تحقيق
MIXA10WB1200TMH IGBT MODULE 1200V 12A HEX تحقيق
HTZ160C17K DIODE MODULE 16.8KV 1.7A تحقيق
CS1710 THYRISTOR 2200V تحقيق
FUO22-16N Image FUO22-16N RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5 تحقيق
IXTP120N04T2 Image IXTP120N04T2 MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 تحقيق
IXFP36N20X3 Image IXFP36N20X3 200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS تحقيق
DSA30C150PB Image DSA30C150PB DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220 تحقيق
IXSN35N120AU1 Image IXSN35N120AU1 IGBT 70A 1200V SOT-227B تحقيق
DH60-18A Image DH60-18A DIODE GEN PURP 1.8KV 60A TO247AD تحقيق
IXTF1N400 Image IXTF1N400 MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 تحقيق
IXFA270N06T3 Image IXFA270N06T3 60V/270A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE تحقيق
IXGR60N60C3D1 Image IXGR60N60C3D1 IGBT 600V 75A 170W ISOPLUS247 تحقيق
VBO125-08NO7 DIODE BRIDGE 124A 800V PWS-C تحقيق
IXSP20N60B2D1 Image IXSP20N60B2D1 IGBT 600V 35A 190W TO220 تحقيق
IXGT10N170 Image IXGT10N170 IGBT 1700V 20A 110W TO268 تحقيق
IXFB50N80Q2 Image IXFB50N80Q2 MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 تحقيق
VBO25-12AO2 DIODE BRIDGE 31A 1200V AVAL FO-A تحقيق
IXTA3N50D2 Image IXTA3N50D2 MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK تحقيق
IXTM1712 POWER MOSFET TO-3 تحقيق
IXTH24N50L Image IXTH24N50L MOSFET N-CH 500V 24A TO-247 تحقيق
IXXN200N60C3H1 IGBT 600V 200A SOT-227 تحقيق
IXTP44N10T Image IXTP44N10T MOSFET N-CH 100V 44A TO-220 تحقيق
MMIX1X100N60B3H1 Image MMIX1X100N60B3H1 IGBT 600V 145A 400W SMPD تحقيق
VBE17-06NO7 RECTIFIER BRIDGE تحقيق
IXSX40N60CD1 Image IXSX40N60CD1 IGBT 600V 75A 280W PLUS247 تحقيق
MWI60-12T6K MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1 تحقيق
IXTT16P60P Image IXTT16P60P MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 تحقيق
IXTH67N10 Image IXTH67N10 MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD تحقيق
IXTA180N10T7 Image IXTA180N10T7 MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7 تحقيق
سجلات 5,480