بطاقة خط

Alliance Memory, Inc.

- Alliance Memory، Inc. هي شركة عالمية تقدم منتجات LEGACY للذاكرة في مجال الاتصالات والحوسبة والأسواق الصناعية والاستهلاكية. تدعم الشركة مجموعة كاملة من 3.3 SRV و 5 V Asynchronous SRAMs المستخدمة مع معالجات الإشارة الرقمية السائدة (DSPs) و microcontrollers؛ SRAMS متزامن ، SRAM منخفضة الطاقة و SRAMs منخفضة ZMD. كما تقدم Alliance Memory منتجات DRAMs متزامنة (SDR) و DDR1 و DDR2 و DDR3.
Alliance Memory، Inc. هي شركة مملوكة ملكية خاصة مقرها في سان كارلوس ، كاليفورنيا ، المقر الرئيسي الإقليمي في المملكة المتحدة وتايوان مع مكاتب مبيعات إقليمية في ألمانيا وفرنسا وإيطاليا والسويد (تغطي منطقة الشمال) وجنوب شرق آسيا. يتوفر المزيد من المعلومات حول Alliance Memory عبر الإنترنت على www.alliancememory.com

رقم القطعة	وصف	رأي
AS4C8M32MSA-6BIN	IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA	تحقيق
AS7C34096A-12TINTR	IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II	تحقيق
AS6C2008A-55SIN	IC SRAM 2M PARALLEL 32SOP	تحقيق
AS7C34098A-20JIN	IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ	تحقيق
AS4C128M8D3L-12BAN	IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA	تحقيق
AS8C803625-QC75N	IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP	تحقيق
AS4C8M16S-7BCN	IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA	تحقيق
MT48LC64M8A2P-75:C TR	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
AS7C32098A-20TCN	IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II	تحقيق
AS7C4096A-12JCNTR	IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ	تحقيق
AS7C256B-15JIN	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ	تحقيق
AS7C3513B-12JCN	IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ	تحقيق
AS4C2M32D1-5BCN	IC DRAM 64M PARALLEL 144BGA	تحقيق
AS4C128MD2-25BCNTR	IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA	تحقيق
AS4C16M16S-6TAN	IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
U62256AS2K07LLG1TR	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP	تحقيق
AS4C4M16D1-5TCN	IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II	تحقيق
AS6C4016-55BINTR	IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA	تحقيق
AS4C64M8D3L-12BCNTR	IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA	تحقيق
U6264BS2K07LLG1TR	IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP	تحقيق
AS4C8M16SA-6TCNTR	IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
AS7C256A-20JCN	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ	تحقيق
AS4C128M16D3L-12BANTR	IC DRAM 2G PARALLEL 96BGA	تحقيق
AS4C128M32MD2A-18BIN	IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA	تحقيق
AS4C32M16D1A-5TIN	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	تحقيق
AS7C164A-15PINTR	IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP	تحقيق
U62256ADK07LLG1	IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP	تحقيق
AS4C16M32MD1-5BINTR	IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA	تحقيق
AS4C32M16D2-25BINTR	IC DRAM 512M PARALLEL 84TFBGA	تحقيق
AS4C4M32D1-5BIN	IC DRAM 128M PARALLEL 144BGA	تحقيق
AS4C8M16S-7TCN	IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
AS4C32M16SM-7TINTR	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
AS7C256A-12TCN	IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I	تحقيق
AS4C8M32S-7TCNTR	IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II	تحقيق
AS4C8M16SA-6TCN	IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
AS7C316096C-10BINTR	IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA	تحقيق
AS7C34098B-10BIN	IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA	تحقيق
AS7C3256A-20TCN	IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP I	تحقيق
AS6C6416-55BIN	IC SRAM 64M PARALLEL 48TFBGA	تحقيق
AS7C3256A-20JCN	IC SRAM 256K PARALLEL 28SOJ	تحقيق
AS7C1026B-10TCNTR	IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II	تحقيق
AS4C128M16D3L-12BIN	IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA	تحقيق
AS4C8M32S-7TCN	IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II	تحقيق
AS7C316096B-10TIN	IC SRAM 16M PARALLEL 44TSOP II	تحقيق
AS6C8016-55TINTR	IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I	تحقيق
AS4C64M32MD2A-25BCNTR	IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA	تحقيق
AS4C4M16SA-6TAN	IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
AS6C4008-55SINTR	IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP	تحقيق
MT48LC64M8A2P-75:C	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP	تحقيق
MT48LC64M8A2TG-75:C	IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP	تحقيق

سجلات 1,253

الصفحة الحالية:6/26سابق 1 2 3 4 567 8 9 10 11 12 13 14 15 التالي نهاية