DMNH10H028SPSQ-13
DMNH10H028SPSQ-13
رقم القطعة:
DMNH10H028SPSQ-13
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
21524 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
DMNH10H028SPSQ-13.pdf

المقدمة

We can supply DMNH10H028SPSQ-13, use the request quote form to request DMNH10H028SPSQ-13 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number DMNH10H028SPSQ-13.The price and lead time for DMNH10H028SPSQ-13 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# DMNH10H028SPSQ-13.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
الجهد - اختبار:2245pF @ 50V
الجهد - انهيار:PowerDI5060-8
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:28 mOhm @ 20A, 10V
فغس (ماكس):10V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
سلسلة:-
بنفايات الحالة:Tape & Reel (TR)
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:40A (Tc)
الاستقطاب:8-PowerTDFN
اسماء اخرى:DMNH10H028SPSQ-13DITR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:DMNH10H028SPSQ-13
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:36nC @ 10V
نوع IGBT:±20V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:4V @ 250µA
FET الميزة:N-Channel
وصف موسع:N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):-
وصف:MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:100V
نسبة السعة:1.6W (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات