SI6562CDQ-T1-GE3
SI6562CDQ-T1-GE3
Số Phần:
SI6562CDQ-T1-GE3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
5846 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
SI6562CDQ-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

We can supply SI6562CDQ-T1-GE3, use the request quote form to request SI6562CDQ-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI6562CDQ-T1-GE3.The price and lead time for SI6562CDQ-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI6562CDQ-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Unused, Original Packing
Gốc Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-TSSOP
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power - Max:1.6W, 1.7W
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vài cái tên khác:SI6562CDQ-T1-GE3CT
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Loại FET:N and P-Channel
FET Feature:Logic Level Gate
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
miêu tả cụ thể:Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6.7A, 6.1A
Số phần cơ sở:SI6562
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận