RN1109MFV,L3F
RN1109MFV,L3F
Số Phần:
RN1109MFV,L3F
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
9644 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
RN1109MFV,L3F.pdf

Giới thiệu

We can supply RN1109MFV,L3F, use the request quote form to request RN1109MFV,L3F pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number RN1109MFV,L3F.The price and lead time for RN1109MFV,L3F depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# RN1109MFV,L3F.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New & Unused, Original Packing
Gốc Contact us
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:VESM
Loạt:-
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2):22 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1):47 kOhms
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-723
Vài cái tên khác:RN1109MFVL3F
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
miêu tả cụ thể:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:70 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận