300 V超結X3級HiPerFET™功率MOSFET

IXYS的300 V X3級功率MOSFET具有基準導通電阻和柵極電荷品質因數

現在隸屬於Littelfuse的IXYS LLC推出了一條新的功率半導體產品線：300 V超結X3級HiPerFET功率MOSFET。導通電阻和柵極電荷分別低至4.6毫歐和22納庫侖，它們針對硬開關和軟開關功率轉換應用進行了優化。

像IXYS的其他超結產品一樣，這些新器件也是採用電荷補償原理和專有的工藝技術開發的，從而使功率MOSFET具有同類最佳的品質因數（導通電阻乘以柵極電荷）。它們展現出業界最低的導通狀態電阻（例如，TO-264封裝為5.5毫歐，SOT-227封裝為4.6毫歐），從而在電源系統中實現了最高的功率密度和能效。

憑藉超低的反向恢復電荷和時間，快速體二極管能夠在高速開關過程中消除所有剩餘能量，從而避免器件故障並實現高效率。此外，新型MOSFET具有出色的dv / dt性能（高達20 V / ns），並且具有雪崩功能。這樣，這些堅固耐用的設備需要較少的緩衝器，可用於硬開關或諧振功率轉換器。

目標應用包括電信電源的同步整流，電機控制（48 V至110 V系統），不間斷電源，高性能D類音頻放大器，DC-DC轉換器，太陽能逆變器和多電平逆變器。

該器件目前擁有25個器件，是業內最廣泛的300 V超結MOSFET產品線。它們採用以下國際標準尺寸包裝：TO-3P，TO220（包覆成型或標準），TO-247，PLUS247，TO-252，TO-263，TO-264，TO-268HV，SOT227。一些示例零件號包括IXFY26N30X3，IXFA38N30X3，IXFT150N30X3HV和IXFN210N30X3，其額定電流分別為26 A，38 A，150 A和210A。

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• 300V X3級功率MOSFET產品簡介