狀況 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
來源 | Contact us |
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 500µA, 10mA |
晶體管類型: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
供應商設備封裝: | EMT6 |
系列: | - |
電阻器 - 發射器底座(R2): | 10 kOhms |
電阻器 - 基座(R1): | 10 kOhms |
功率 - 最大: | 150mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SOT-563, SOT-666 |
其他名稱: | EMD3T2R-ND EMD3T2RTR |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 10 Weeks |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
頻率 - 轉換: | 250MHz |
詳細說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 30 @ 5mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
基礎部件號: | *MD3 |
Email: | [email protected] |