Şart | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Menşei | Contact us |
Id @ Vgs (th) (Max): | 2.4V @ 250µA |
Vgs (Maks.): | ±20V |
teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SO |
Dizi: | TrenchFET® |
Id, VGS @ rds On (Max): | 3.9 mOhm @ 15A, 10V |
Güç Tüketimi (Max): | 3W (Ta), 6.5W (Tc) |
paketleme: | Cut Tape (CT) |
Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Diğer isimler: | SI4166DY-T1-GE3CT |
Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
bağlantı Tipi: | Surface Mount |
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
Üretici Standart Teslimat Süresi: | 27 Weeks |
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2730pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
FET Tipi: | N-Channel |
FET Özelliği: | - |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
Detaylı Açıklama: | N-Channel 30V 30.5A (Tc) 3W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 30.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |