SIR618DP-T1-GE3
SIR618DP-T1-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SIR618DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 200V 14.2A SO-8
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
61705 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SIR618DP-T1-GE3.pdf

บทนำ

We can supply SIR618DP-T1-GE3, use the request quote form to request SIR618DP-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIR618DP-T1-GE3.The price and lead time for SIR618DP-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIR618DP-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerPAK® SO-8
ชุด:ThunderFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:95 mOhm @ 8A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):48W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:PowerPAK® SO-8
ชื่ออื่น:SIR618DP-T1-GE3DKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:740pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:16nC @ 7.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):7.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 200V 14.2A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:14.2A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest