SI7116DN-T1-GE3
SI7116DN-T1-GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SI7116DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
61092 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SI7116DN-T1-GE3.pdf

บทนำ

We can supply SI7116DN-T1-GE3, use the request quote form to request SI7116DN-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI7116DN-T1-GE3.The price and lead time for SI7116DN-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI7116DN-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ขนาด

เงื่อนไข New & Unused, Original Packing
ที่มา Contact us
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerPAK® 1212-8
ชุด:TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:7.8 mOhm @ 16.4A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1.5W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:PowerPAK® 1212-8
ชื่ออื่น:SI7116DN-T1-GE3TR
SI7116DNT1GE3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:27 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:23nC @ 4.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):40V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 40V 10.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:10.5A (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest