เงื่อนไข | New & Unused, Original Packing |
---|---|
ที่มา | Contact us |
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 50V |
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 10mA |
ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
ชุด: | - |
ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2): | - |
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1): | 4.7 kOhms |
เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 250mW |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
ชื่ออื่น: | MUN5216DW1T1G-ND MUN5216DW1T1GOSTR |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 40 Weeks |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
ความถี่ - การเปลี่ยน: | - |
คำอธิบายโดยละเอียด: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 160 @ 5mA, 10V |
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 500nA |
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 100mA |
หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | MUN52**DW1T |
Email: | [email protected] |