เงื่อนไข | New & Unused, Original Packing |
---|---|
ที่มา | Contact us |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 61µA |
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO-220-3 |
ชุด: | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 16.5 mOhm @ 53A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 100W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
ชื่ออื่น: | IPP16CNE8N G-ND IPP16CNE8NG IPP16CNE8NGX IPP16CNE8NGXK SP000096470 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 3230pF @ 40V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 85V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 85V 53A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 53A (Tc) |
Email: | [email protected] |