เงื่อนไข | New & Unused, Original Packing |
---|---|
ที่มา | Contact us |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4.5V @ 180µA |
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO252-3 |
ชุด: | CoolMOS™ CFD7 |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 280 mOhm @ 3.6A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 51W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ชื่ออื่น: | IPD60R280CFD7 IPD60R280CFD7ATMA1-ND IPD60R280CFD7ATMA1TR SP001634124 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 807pF @ 400V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 650V |
คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 650V 9A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 9A (Tc) |
Email: | [email protected] |